塑料薄膜介質損耗因數(shù)測試儀在下面的計算公式中，用戶可根據(jù)實際使用情況估算出電橋靈敏度水平，在這

個水平上的電容與介質損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應出來。

          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   

         式中：Ｕ為測量電壓                     伏特（Ｖ）

ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                            

          Ｃｎ標準電容器容量                    皮法（pＦ）

          Ｉｇ通用指另儀的電流5X10-10            安培（Ａ）

          Ｒｇ平衡指另儀內阻約1500              歐姆（W）

          Ｒ４橋臂R4電阻值3183                 歐姆（W）

          Ｃｘ被測試品電容值                    皮法（ｐF）

2.3 電容量及介損顯示精度：

    電容量： ±0.5%×tgδx±0.0001。

    介  損： ±0.5％tgdx±1×10-4

2.4 輔橋的技術特性：

    工作電壓±12V，50Hz

    輸入阻抗>1012　W

    輸出阻抗>0.6 W

    放大倍數(shù)>0.99

    不失真跟蹤電壓  0～12V（有效值）

2.5 指另裝置的技術特性：

    工作電壓±12V

    在50Hz時電壓靈敏度不低于1X10-6V／格， 電流靈敏度不低于2X10-9A／格

    二次諧波  減不小于25db

三次諧波  減不小于50db

塑料薄膜介質損耗因數(shù)測試儀本標準規(guī)定了在15 Hz?300 MHz的頻率范圍內測量電容率、介質損耗因數(shù)的方法，并由此計算某 些數(shù)值，如損耗指數(shù)。本標準中所敘述的某些方法，也能用于其他頻率下測量。

本標準適用于測量液體、易熔材料以及固體材料。測試結果與某些物理條件有關，例如頻率、溫度、 濕度，在特殊情況下也與電場強度有關.

有時在超過1 000 V的電壓下試驗，則會引起一些與電容率和介質損耗因數(shù)無關的效應，對此不予 論述。

電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時，其電容Cx與同樣電極構形的真空電 容G之比：

式中：

相對電容率：

充有絕緣材料時電容器的電極電容；

真空中電容器的電極電容。

在標準大氣壓下，不含二氧化碳的干燥空氣的相對電容率％等于L 000 53o因此，用這種電極構 形在空氣中的電容G來代替G測量相對電容率％時，也有足夠的精確度。

在一個測量系統(tǒng)中，絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對電容率％與真空電氣常數(shù)気 的乘積。

在SI制中，絕對電容率用法/米（F/m）表示°而且.在SI單位中，電氣常數(shù)s為：

= 8.854 X 10 忐 XR） （2）

在本標準中，用皮法和厘米來計算電容，真空電氣常數(shù)為：

A型高頻Q表和C型高頻Q表主要區(qū)別

A/C高頻Q表能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機關、學校、工廠等單位。

A/C高頻Q表是北廣精儀儀器設備有限公司最

新研制的產(chǎn)品，它以DDS數(shù)字直接合成方式產(chǎn)生信號源，頻率達

60MHz /100MHz，信號源具有信號失真小、頻率精確、信號幅度穩(wěn)定的優(yōu)點，更保證了測量精度的精確性。A主電容調節(jié)用傳感器感應，電容讀數(shù)精確,且頻率值可設置。C主電容調節(jié)用

步進馬達控制，電容讀數(shù)更加精確,頻率值和電容值均可設置。A/C電容、電感、Q值、頻率、量程都用數(shù)字顯示，在某一頻率下，只要能找到諧振點，都能直接讀出電感、電容值，大大擴展了電感的測量范圍，而不再是固定的幾個頻率下才能測出電感值的大小。A/C*的諧振點頻率自動搜索或電容自動搜索功能，能幫助你在使用時快速地找到被測量器件的諧振點，自動讀出Q值和其它參數(shù)。Q值量程可手動或自動轉換。

頻率

因為只有少數(shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內它們的％和切澎幾乎是恒 定的，且被用作工程電介質材料，然而一般的電介質材料必須在所使用的頻率下測量其介質損耗因數(shù)和 電容率。

電容率和介質損耗因數(shù)的變化是由于介質極化和電導而產(chǎn)生，最重要的變化是極性分子引起的偶 極子極化和材料的不均勻性導致的界面極化所引起的。

溫度

損耗指數(shù)在一個頻率下可以出現(xiàn)一個最大值，這個頻率值與電介質材料的溫度有關.介質損耗因 數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負的，這取決于在測量溫度下的介質損耗指數(shù)最大值位置。

濕度

極化的程度隨水分的吸收量或電介質材料表面水膜的形成而增加，其結果使電容率、介質損耗因數(shù) 和直流電導率增大。因此試驗前和試驗時對環(huán)境濕度進行控制是的.

注：濕度的顯著影響常常發(fā)生在1 MHz以下及微波頻率范圍內。

電場強度

存在界面極化時，自由離子的數(shù)目隨電場強度增大而增加，其損耗指數(shù)最大值的大小和位置也隨此 而變。

在較高的頻率下，只要電介質中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質損耗因數(shù)與電場強度無關。

在測定電容率需要較高精度時，最大的誤差來自試樣尺寸的誤差，尤其是試樣厚度的誤差，因此厚 度應足夠大，以滿足測量所需要的精確度。厚度的選取決定于試樣的制備方法和各點間厚度的變化。 對1%的精確度來講，1. 5 mm的厚度就足夠了，但是對于更高精確度，最好是采用較厚的試樣，例如 6 mm?12 mm。測量厚度必須使測量點有規(guī)則地分布在整個試樣表面上，且厚度均勻度在± 1 %內。 如果材料的密度是已知的，則可用稱量法測定厚度。選取試樣的面積時應能提供滿足精度要求的試樣 電容。測量10 pF的電容時，使用有良好屏蔽保護的儀器。由于現(xiàn)有儀器的極限分辨能力約1 pF,因此 試樣應薄些，直徑為10 cm或更大些。

需要測低損耗因數(shù)值時，很重要的一點是導線串聯(lián)電阻引入的損耗要盡可能地小，即被測電容和該 電阻的乘積要盡可能小。同樣，被測電容對總電容的比值要盡可能地大。第一點表示導線電阻要盡可 能低及試樣電容要小，第二點表示接有試樣橋臂的總電容要盡可能小，且試樣電容要大，因此試樣電 容最好取值為20 pF,在測量回路中，與試樣并聯(lián)的電容不應大于約5 pF0

把試樣夾在兩塊互相配合好的凹模之間，凹模中充有液體金屬，該液體金屬必須是純凈的。汞電極 不能用于高溫，即使在室溫下用時，也應采取措施，這是因為它的蒸氣是有毒的.

伍德合金和其他低熔點合金能代替汞。但是這些合金通常含有鎘，鎘象汞一樣，也是毒性元素.這些 合金只有在良好抽風的房間或在抽風柜中才能用于10。笆以上，且操作人員應知道可能產(chǎn)生的健康危害。