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聚酯薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀
簡(jiǎn)要描述：聚酯薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要測(cè)試材料:1 絕緣導(dǎo)熱硅膠,石英晶玻璃,陶瓷片,薄膜,OCA光學(xué)膠,環(huán)氧樹(shù)脂材料,塑料材料,FR4 PCB板材, PA尼龍/滌綸,PE聚乙烯,PTFE聚四氟乙烯,PS聚苯乙烯,PC聚碳酸旨,PVC,PMMA等
更新時(shí)間：2024-07-16
產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
訪問(wèn)量：797
| 品牌 | 北廣精儀 | 價(jià)格區(qū)間 | 1萬(wàn)-2萬(wàn) |
|---|---|---|---|
| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電氣,綜合 |
聚酯薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀
信號(hào)源范圍DDS數(shù)字合成信號(hào) | 10KHZ-70MHz | 10KHZ-110MHz | 100KHZ-160MHz |
信號(hào)源頻率覆蓋比 | 7000:1 | 11000:1 | 16000:1 |
信號(hào)源頻率精度 6位有效數(shù) | 3×10-5 ±1個(gè)字 | 3×10-5 ±1個(gè)字 | 3×10-5 ±1個(gè)字 |
采樣精度 | 11BIT | 11BIT | 12BIT 高精度的AD采樣，了Q值的穩(wěn)定性，以及低介質(zhì)損耗材料測(cè)試時(shí)候的穩(wěn)定性 |
Q測(cè)量范圍 | 1-1000自動(dòng)/手動(dòng)量程 | 1-1000自動(dòng)/手動(dòng)量程 | 1-1000自動(dòng)/手動(dòng)量程 |
Q分辨率 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 |
Q測(cè)量工作誤差 | <5% | <5% | <5% |
電感測(cè)量范圍 4位有效數(shù),分辨率0.1nH | 1nH-8.4H ,分辨率0.1nH | 1nH-8.4H 分辨率0.1nH | 1nH-140mH分辨率0.1nH |
電感測(cè)量誤差 | <3% | <3% | <3% |
調(diào)諧電容 | 主電容30-540pF | 主電容30-540pF | 主電容17-240pF |
電容直接測(cè)量范圍 | 1pF～2.5uF | 1pF～2.5uF | 1pF～25nF |
調(diào)諧電容誤差 分辨率 | ±1pF或<1% 0.1pF | ±1pF或<1% 0.1pF | ±1pF或<1% 0.1pF |
諧振點(diǎn)搜索 | 自動(dòng)掃描 | 自動(dòng)掃描 | 自動(dòng)掃描 |
Q合格預(yù)置范圍 | 5-1000聲光提示 | 5-1000聲光提示 | 5-1000聲光提示 |
Q量程切換 | 自動(dòng)/手動(dòng) | 自動(dòng)/手動(dòng) | 自動(dòng)/手動(dòng) |
LCD顯示參數(shù) | F，L，C，Q，Lt，Ct波段等 | F，L，C，Q，Lt，Ct波段等 | F，L，C，Q，Lt，Ct波段等 |
自身殘余電感和測(cè)試引線電感的自動(dòng)扣除功能() | 有 | 有 | 有 |
大電容值直接測(cè)量顯示功能() | 測(cè)量值可達(dá)2.5uF | 測(cè)量值可達(dá)2.5uF | 測(cè)量值可達(dá)25nF |
介質(zhì)損耗系數(shù) | 精度 萬(wàn)分之三 | 精度 萬(wàn)分之三 | 精度 萬(wàn)分之一 |
介損系數(shù) | 萬(wàn)分之一 | 萬(wàn)分之一 | 萬(wàn)分之一 |
介電常數(shù) | 精度 千分之一 | 精度 千分之一 | 精度 千分之一 |
材料測(cè)試厚度 | 0.1mm-10mm | 0.1mm-10mm | 0.1mm-10mm |
聚酯薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀由S916測(cè)試裝置（夾具）、QBG-3E/QBG-3F/AS2853A型高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件（裝入QBG-3E/QBG-3F或AS2853A的軟件模塊)、及LKI-1型電感器組成。依據(jù)國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006、GB/T 1693-2007、美標(biāo)ASTM D150以及國(guó)際電工委員會(huì)IEC60250的規(guī)定設(shè)計(jì)制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)自動(dòng)測(cè)量的解決方案。本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。使用QBG-3E或AS2853A數(shù)字Q表具有自動(dòng)計(jì)算介電常數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗（tanδ）。
定義：
這些試驗(yàn)方法所用術(shù)語(yǔ)定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語(yǔ)定義見(jiàn)術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)D1711。
本標(biāo)準(zhǔn)專(zhuān)用術(shù)語(yǔ)定義：
電容，C，名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢(shì)差時(shí)，導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲(chǔ)存電分離電荷的性能。
討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫(kù)倫為單位，電位采用伏特為單位時(shí)，電容單位為法拉，即：
C=q/V （1）
耗散因子（D），（損耗角正切），（tanδ），名詞——是指損耗指數(shù)（K''）與相對(duì)電容率（K'）之間的比值，它還等于其損耗角（δ）的正切值或者其相位角（θ）的余切值。
D=K''/K' (2)
3.2.2.1 討論——a：
D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp(3)
式中：
G=等效交流電導(dǎo)，
Xp=并聯(lián)電抗，
Rp=等效交流并聯(lián)電阻，
Cp=并聯(lián)電容，
ω=2πf（假設(shè)為正弦波形狀）
耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q，有時(shí)成為儲(chǔ)能因子。對(duì)于串聯(lián)和并聯(lián)模型，電容器耗散因子D都是相同的，按如下表示為：
D=ωRsCs=1/ωRpCp(4)
串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿(mǎn)足以下要求：
Cp=Cs/(1 D2) (5)
Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2(6)
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