ASTMD150介電常數(shù)檢測儀

主要特點：

同軸共振腔適用于不同形狀樣品：包括薄膜樣品的非破壞性測量，使用簡易的逐步操作，內(nèi)置的反饋振蕩器電路可實現(xiàn)精確的量測。

應用領域： 

高速數(shù)字/微波電路用基底材料 ；濾波器和介電天線用低損耗電介質(zhì) ；化學制品； 
薄膜與新材料；半導體材料；電子材料（包括CCL和PCB）
陶瓷材料；納米材料；光電材料等

ASTMD150介電常數(shù)檢測儀

電介質(zhì)極化機制

• 電子位移極化

組成介質(zhì)的原子或離子，在電場作用下，原子或離子的正負電荷中心不重合，即帶正電的原子核與其殼層電子的負電中心不重合，因而產(chǎn)生感應偶極矩，稱為電子位移極化。

• 離子位移極化

組成介質(zhì)的正負離子，在電場作用下，正負離子產(chǎn)生相對位移。因為正負離子的距離產(chǎn)生改變而產(chǎn)生的感應偶極矩，稱為離子位移極化。

• 固有偶極矩取向極化

組成介質(zhì)的分子為有極分子（即分子具有固有偶極矩），沒有外電場作用時，這些固有偶極矩的取向是無規(guī)則的，整個介質(zhì)的偶極矩之和等于零。當有外電場時，這些固有偶極矩將轉向并沿電場方向排列。因固有偶極矩轉向而在介質(zhì)中產(chǎn)生偶極矩，成為取向極化。

導體、半導體和絕緣體是幾乎所有射頻/微波電子設備的主要構成部分。絕緣體的介電性質(zhì)會影響穿過它們的電場。為了設計射頻組件或器件，必須詳細了解在組件/器件的構造中使用的絕緣體的介電性質(zhì)。需要考慮的兩個主要介電參數(shù)分別是介電常數(shù)和損耗角正切，或復介電常數(shù)的實部和虛部。

更詳細地說，電介質(zhì)是一種絕緣材料，當受到電場作用時會極化，這種現(xiàn)象稱為電介質(zhì)極化。盡管空間的磁導率通常呈靜態(tài)（除了存在鐵磁物體的情況外）；然而，空間的介電常數(shù)受材料填充的空間中的氣體、液體和固體的影響很大。與磁導率一樣，介電常數(shù)的影響取決于頻率。因此在整個頻率范圍內(nèi)測量復介電常數(shù)。